800V“絕配”碳化硅
發(fā)布時間: 2022-01-20
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10月份,美國《華爾街日報》報道,全球汽車行業(yè)正把數(shù)以十億美元計的資金投向以碳化硅(SiC)材料制成的芯片。
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比如通用汽車公司,其副總裁希爾潘·阿明就表示:“電動汽車用戶正追求更長的續(xù)航里程,我們把碳化硅視為電力電子設(shè)計中的一種重要材料?!?/span>
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在說這話之前,通用汽車已經(jīng)與總部位于達勒姆(北卡羅來納州)的沃爾夫斯皮德公司達成了一項協(xié)議,將使用后者生產(chǎn)的碳化硅器件。
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而相輔相成的是,碳化硅的崛起,跟汽車行業(yè)正在推進的800V高壓平臺系統(tǒng)算是“絕配”。在800V高壓平臺趨近的趨勢下,行業(yè)預(yù)計,未來幾年SiC功率元器件將隨著800V平臺的大規(guī)模上車進入快速爆發(fā)階段。
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為什么這么說?因為,在800V甚至更高水平的平臺上,原本的硅基IGBT芯片達到了材料極限,碳化硅則具備耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢,無疑是IGBT最佳的替代方案。
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作為今年熱炒的第三代功率半導(dǎo)體材料,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)應(yīng)用在更高階的高壓功率元器件以及高頻通訊元器件領(lǐng)域,代表5G時代的主要材料。特別是碳化硅,可謂集“萬千寵愛于一身”。
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當(dāng)然,碳化硅面臨的一大挑戰(zhàn)是它高企的價格。而如何確保以碳化硅芯片實現(xiàn)的成本節(jié)約效益,蓋過碳化硅芯片較高生產(chǎn)成本這一不利因素,就成為當(dāng)下最重要的任務(wù)。
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俗話說,榜樣的力量是無窮的,就像特斯拉所做的那樣——特斯拉數(shù)年來在功率控制芯片中使用碳化硅,效果是能量損失減少,造就更強大的發(fā)動機,提升續(xù)航里程,從TCO(總體擁有成本)的角度來講,單車成本反而下降了不少。
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實際上,當(dāng)下SiC+800V大熱,說不清是碳化硅成就了800V,還是800V成就了碳化硅,我們能確定的是,接下來,碳化硅替代IGBT正在成為主流。
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碳化硅的優(yōu)勢
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從價格方面來說,目前國際上SiC價格是對應(yīng)硅基產(chǎn)品的5~6倍,并以每年10%的速度下降。據(jù)預(yù)測,隨著未來2~3年市場供應(yīng)加大,預(yù)計價格達到對應(yīng)硅基產(chǎn)品的2~3倍時,由系統(tǒng)成本減少和性能提升帶來的優(yōu)勢,將推動SiC逐步替代硅基IGBT等產(chǎn)品。
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按照《華爾街日報》的報道,“研究者估計,根據(jù)電動車種類的不同,碳化硅相關(guān)技術(shù)可以幫助一輛車最終節(jié)約出750美元的電池成本?!币灿腥藴y算,最終使用SiC合計大約會產(chǎn)生約2000元左右的成本降低。不過,碳化硅材料的成本要接近硅基材料,估計還要等幾年。
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而碳化硅價格高的原因很簡單,因為難造。碳化硅為什么那么難造?可以這么說,鉆石有多硬,它就有多硬。所以,碳化硅的制造成本在短期內(nèi)依然高企。
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但是,碳化硅的優(yōu)勢卻是非常明確的。比如,體積縮小是其一,豐田的碳化硅元器件體積就要比硅基的縮小80%。此外,據(jù)相關(guān)分析數(shù)據(jù),續(xù)航方面,與使用硅基芯片的電動汽車相比,搭載SiC芯片的電動汽車行駛距離平均延長6%。
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舉個國內(nèi)的例子,像比亞迪漢EV的SiC模塊同功率情況下體積較硅IGBT縮小一半以上,功率密度提升一倍。而且,根據(jù)比亞迪公司計劃,到2023年比亞迪旗下所有電動車會用SiC功率半導(dǎo)體全面替代IGBT。碳化硅的趨勢真是勢不可擋啊。
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不過,若論及碳化硅的大規(guī)模應(yīng)用,則始于特斯拉。
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2018年,特斯拉在Model 3中首次將IGBT模塊換成了碳化硅模塊。使用下來,在相同功率等級下,碳化硅模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊,并且開關(guān)損耗降低了75%。而且,換算下來,采用SiC模塊替代IGBT模塊,其系統(tǒng)效率可以提高5%左右。
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當(dāng)然,從成本來講,這樣并不劃算。因為逆變器的功率器件由IGBT替換成碳化硅之后,采購成本上升將近1500元。但是,因為整車效率的提升,導(dǎo)致電池裝機量的下降,從電池端把成本又省回來了。
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從發(fā)展歷史來說,全球首款碳化硅功率半導(dǎo)體SiC MOSFET的推出,是在2011年。而在這之前,美國科銳(Cree)公司經(jīng)過了將近二十年的研發(fā),可謂“難產(chǎn)”。十年之后,SiC才終于迎來“爆發(fā)元年”。
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而Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe還確認(rèn),公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠,使其能夠充分利用未來幾十年的增長機遇。
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8英寸時代到來前,供需失衡
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從生產(chǎn)工藝來講,碳化硅目前的主要生產(chǎn)尺寸是6英寸,也就是150mm。不過行業(yè)進步還是很快的,8月11日,意法半導(dǎo)體(ST)宣布,其瑞典Norrk?ping工廠制造出首批8英寸碳化硅晶圓。
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據(jù)悉,ST首批8英寸SiC晶圓品質(zhì)十分優(yōu)良,芯片良品率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。低缺陷率歸功于ST在SiC硅錠生長技術(shù)深厚積累的研發(fā)技術(shù)。此外,ST正與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作研發(fā)專屬的制造設(shè)備和生產(chǎn)制程。
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ST汽車和離散元件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示,汽車和工業(yè)市場正在加速推動系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的進程,升級到8吋SiC晶圓將為ST的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大優(yōu)勢。
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而從6吋到8吋,這也代表著提升功率電子芯片的輕量化和能效方面又邁進了一步。只是,雖說現(xiàn)在8英寸(200mm)的產(chǎn)線已經(jīng)有量產(chǎn),但是要全面進入8英寸時代,還需要點時間。
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然而一個現(xiàn)實情況是,目前碳化硅功率元器件市場需求的突然爆發(fā),進一步造成了碳化硅供應(yīng)鏈的全球性短缺。
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以目前的狀況,一片碳化硅晶圓也就裝備兩輛電動汽車。也就是說,以目前全球碳化硅晶圓60萬片的年產(chǎn)能,最多也就能夠滿足120萬輛電動汽車的需求。這還沒算充電樁等應(yīng)用。而根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,預(yù)計2025年全球?qū)?英寸SiC晶圓需求可達169萬片。
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再看特斯拉。2020年,特斯拉全球交付了將近50萬輛電動汽車;今年上半年的交付量已經(jīng)達到了38.6萬輛,時近年底,預(yù)計全年的交付量至少是75萬輛。也就是說,目前全球碳化硅晶圓的產(chǎn)能,滿足了特斯拉之后,剩下不了多少。
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那么,全球碳化硅晶圓方面,主要都有哪些玩家呢?按照2020上半年出貨量計算,科銳CREE占據(jù)了全球45%的市場份額,日本羅姆的子公司SiCrystal占據(jù)20%,II-VI占13%;中國企業(yè)的市場份額還比較低,其中天科合達占到5.3%,山東天岳則為2.6%。
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從碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈整體來看,主要的SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC市場份額。
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這里普及一下,SiC器件的制造成本中,有兩大工序是其重要組成部分。其中,SiC襯底成本約占總成本的47%,SiC外延的成本占比23%。而SiC襯底制備受限于SiC晶體生長速度慢、過程難以調(diào)控、生長多型多、切割難度大等多種問題,全球產(chǎn)能一直處于較低水平。
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襯底方面,國際主流已經(jīng)從4英寸向6英寸過渡,而作為襯底主要供應(yīng)商的科銳Cree已經(jīng)開發(fā)出8英寸襯底。國內(nèi)方面,襯底主要供應(yīng)商有天科合達、山東天岳等能夠供應(yīng)3~6英寸的單晶襯底。
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外延片方面,國內(nèi)廈門瀚天天成、東莞天域光已能提供4英寸/6英寸SiC外延片。目前,6英寸碳化硅外延片可以實現(xiàn)本土供應(yīng)。當(dāng)然,從整體情況來說,供需失衡的情況還會是未來一段時間內(nèi)的主流。
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800V“元年”
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實際上,碳化硅+800V正在聯(lián)袂而來。我們也可以說,如果2021年是碳化硅“元年”,那么,2022年將成為800V的“元年”。
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這次的廣州車展上,我們看到了800V正在成為趨勢。像比亞迪e平臺3.0、東風(fēng)嵐圖、吉利SEA浩瀚架構(gòu)、現(xiàn)代E-GMP、奔馳EVA、通用奧特能平臺等都選擇800V高壓平臺,這不是偶然。?
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從量產(chǎn)時間來看,各大車企基于800V系統(tǒng)的新車將于明后年陸續(xù)上市,雖然真正800V的產(chǎn)品大年預(yù)計要到2024年左右。
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具體而言,小鵬汽車在廣州車展上首次亮相的全新SUV小鵬G9,就首次采用800V高壓SiC平臺。據(jù)悉,小鵬汽車還將鋪設(shè)中國首批量產(chǎn)的480kW高壓超充樁,以實現(xiàn)充電5分鐘可跑200公里的目標(biāo)。
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同樣,長城的沙龍汽車首款車型機甲龍,也支持800V超級快充,峰值電流高達600A,充電10分鐘,即可實現(xiàn)CLTC續(xù)航401公里。還有零跑,其800V平臺將在2024年第四季度量產(chǎn)。廣汽也發(fā)布了萬城萬充為其開發(fā)的480kW高壓充電樁。
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而根據(jù)相關(guān)預(yù)測,2023~2025年國內(nèi)800V產(chǎn)業(yè)復(fù)合增速有望超過70%,而2025~2030年進入穩(wěn)步增長階段,復(fù)合增速約為20%。
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那么,為什么800V架構(gòu)會成為主流呢?還是因為,800V架構(gòu)下解決了兩大需求痛點,一是讓充電性能大幅提升,二是提高了整車運行效率。
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在800V平臺下,可以使用較細(xì)的充電導(dǎo)線。我們知道,相同充電功率下,電壓高則電流就可以低,電流低導(dǎo)線就不用那么粗,導(dǎo)線的電阻熱能耗也就降低。而如果還使用原來400V所用的充電導(dǎo)線尺寸,則可以提升充電功率。
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當(dāng)然,在800V高壓充電下,電池本身的串并聯(lián)組態(tài)也必須要重新調(diào)整,也就是電池包的電壓也要相對提升到800V,否則會因為高充電電流而燒毀。此外,像電驅(qū)動、電力電子裝置、充電系統(tǒng)等也都需要采用800V的系統(tǒng)。
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而整車運行效率更高是指,電流不變時,電池電壓越高電機的功率越大,電機驅(qū)動的效率也越高。所以,800V高壓平臺容易實現(xiàn)高功率和大扭矩,以及更好的加速性能。
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不過,雖然SiC+800V技術(shù)的發(fā)展,為新能源汽車及未來出行描繪出了一個美好的未來,但在落地層面,還是具備一定的難度。對于很多車企來說,在沒有基礎(chǔ)設(shè)施配套的前提下,車展上推出一款800V產(chǎn)品,更多是概念的呼喚,隨后仍將面對實際問題。
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所以,雖然說“技術(shù)點亮生活”,但800V平臺除了研發(fā)落地,也意味著電動車諸多零部件需要重新開發(fā)設(shè)計,以及高壓充電網(wǎng)絡(luò)從無到有的布局建設(shè),距離產(chǎn)品的真正普及還有很長一段距離要走。理想很豐滿,但是現(xiàn)實方面,還是需要耐心等待的。